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1 Reliability Concerns for Flying SiC Power MOSFETs in Space [科技报告]

作者:Galloway, K F;Witulski, A F;Schrimpf, R D;等

发布日期:2018

关键词:ACCELERATED LIFE TESTS;BURNOUT;...

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2 Yearlong 500 °C Operational Demonstration of Up-Scaled 4H-SiC JFET Integrated Circuits [科技报告]

作者:Neudeck, Philip G;Spry, David J;Krasowski, Michael J;等

发布日期:2018

关键词:CHIPS (MEMORY DEVICES);DESIGN ANALYSIS;...

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3 Getting SiC Power Devices Off the Ground: Design, Testing, and Overcoming Radiation Threats [科技报告]

作者:Lauenstein, Jean-Marie

发布日期:2018

关键词:SILICON CARBIDES;JFET;...

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4 Operation of Ultrafast, Low-Side MOSFET Driver, IXD609, over Wide Temperature Range [科技报告]

作者:Boomer, Kristen, Hammoud, Ahmad

发布日期:2019

关键词:CHIPS;COMMERCIAL OFF-THE-SHELF PRODUCTS;...

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5 Modeling of Multi-Loops Related Device Turn-On Overvoltage in 3L-ANPC Converters [科技报告]

作者:Gui, Handong;Chen, Ruirui;Niu, Jiahao;等

发布日期:2019

关键词:CAPACITANCE;COMMUTATION;...

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6 Performance Evaluation of High-Speed, Low-Side Gate Driver, FAN3122, over Extended Temperature Range [科技报告]

作者:Boomer, Kristen, Hammoud, Ahmad

发布日期:2019

关键词:CAPACITORS;CIRCUIT BOARDS;...

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