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× JFET
作者:Spry, D J, Neudeck, P G, Chang, Carl W
发布日期:2019
关键词:DIELECTRICS;JFET;...
发布机构:
作者:Neudeck, Philip G;Spry, David J;Krasowski, Michael J;等
发布日期:2018
关键词:AMBIENT TEMPERATURE;SILICON CARBIDES;...
发布机构:
作者:Neudeck, Philip G;Spry, David J;Krasowski, Michael J;等
发布日期:2018
关键词:CHIPS (MEMORY DEVICES);DESIGN ANALYSIS;...
发布机构:
4 Getting SiC Power Devices Off the Ground: Design, Testing, and Overcoming Radiation Threats [科技报告]
作者:Lauenstein, Jean-Marie
发布日期:2018
关键词:SILICON CARBIDES;JFET;...
发布机构:
作者:Neudeck, Philip G;Spry, David J;Krasowski, Michael J;等
发布日期:2018
关键词:INTEGRATED CIRCUITS;JFET;...
发布机构:
6 Room Temperature Radiation Testing of a 500 °C Durable 4H-SiC JFET Integrated Circuit Technology [科技报告]
作者:Lauenstein, Jean-Marie;Neudeck, Philip G;Ryder, Kaitlyn L;等
发布日期:2019
关键词:INTEGRATED CIRCUITS;HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENTS;...
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