期刊论文

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Modern Electronic Materials
Research of acceptor impurity thermal activation in GaN: Mg epitaxial layers

Rauf Kh. Akchurin¹ Damir R. Sabitov² Aleksandr V. Mazalov² Aleksandr A. Marmalyuk² Vladimir A. Kureshov² Anatoliy A. Padalitsa²
[1] Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86 Vernadsky Ave., Moscow 119571, Russia;Sigm Plus Co., 3 Vvedenskogo Str., Moscow 117342, Russia;
关键词: Gallium nitride; GaN; MOCVD; Metal-organic chemical vapor deposition; Rapid thermal annealing; Magnesium bis-cyclopentadienyl; (Cp2Mg); Doping; p-type;
DOI : 10.1016/j.moem.2016.09.003
来源: DOAJ


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