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Active and Passive Electronic Components
A Physical Model for MOSFET Drain Current in Non-ohmic Regime Using Ohmic Regime Operation
R. Rmaily1  K. Raïs1  Y. Amhouche1  A. El Abbassi1 
[1] Laboratoire de Caractérisation des Composants à Semi-conducteurs, Université Chouaib, Doukkali B.P. 20, EL Jadida, Morocco, ucd.ac.ma
关键词: Charge;    Conductance;    Pinch off;    Velocity saturation;    MOSFET;   
Others  :  1369694
DOI  :  10.1155/2001/34065
 received in 2001-02-19, accepted in 2001-03-19,  发布年份 2001
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