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1 Deep-Level Transient Spectroscopy in InGaAsN Lattice-Matched. [科技报告]

作者:Johnston, S. W.;Ahrenkiel, R. K.;Friedman, D. J.;等

发布日期:2002

关键词:Semiconductors;Gallium arsenides;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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2 AlGaAsSb/GaSb Distributed Bragg Reflectors Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy. [科技报告]

作者:Wang, C. A., Vineiso, C. J., Calawa, D. R.

发布日期:2002

关键词:Bragg reflection;Vapor phase epitaxy;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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3 AlGaAsSb/GaSb Distributed Bragg Reflectors Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy. [科技报告]

作者:Wang, C. A., Vineiso, C. J., Calawa, D. R.

发布日期:2002

关键词:Bragg reflection;Vapor phase epitaxy;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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4 Criteria for the Design of GalnP/GaAs/Ge Triple-Junction Cells top Optimize Their Performance. [科技报告]

作者:McMahon, W. E.;Kurtz, S.;Emery, K.;等

发布日期:2002

关键词:Concentrator solar cells;Design criteria;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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