• 已选条件：
  • × SiGe
 全选  【符合条件的数据共：27条】

1 Investigation of in-situ doping profile for N+/P/N+ bidirectional switching device using Si1−xGex/Si/Si1−xGex structure [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2015

作者:Yun Heub Song, Il Pyo Roh, Jin Dong Song

关键词:switching device;UHV-CVD;...

使用许可:Unknown

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：2 下载：0  ]    

2 A high image rejection SiGe low noise amplifier using passive notch filter [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2014

作者:Kai Jing, Huaxi Gu, Yiqi Zhuang

关键词:LNA;notch filter;...

使用许可:Unknown

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：3 下载：2  ]    

3 Highly sensitive 10 Gb/s PAM-4 optical receiver circuit for three-dimensional optoelectronic integration [期刊论文]

来源：The Journal of Engineering , 2016

作者:Horst Zimmermann;Dinka Milovančev;Nemanja Vokić;等

关键词:voltage-input signal;power 145 mW;...

使用许可:CC BY

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：1 下载：0  ]    

4 Highly sensitive 10 Gb/s PAM-4 optical receiver circuit for three-dimensional optoelectronic integration [期刊论文]

来源：The Journal of Engineering , 2016

作者:Horst Zimmermann;Dinka Milovančev;Nemanja Vokić;等

关键词:voltage-input signal;power 145 mW;...

使用许可:CC BY

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：1 下载：0  ]    

5 Strained-SiGe Complementary MOSFETs Adopting Different Thickness of Silicon Cap Layers for Low Power and High Performance Applications [期刊论文]

来源：ETRI Journal

作者:

关键词:hetero-structure MOSFET;strained-SiGe;...

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：10 下载：1  ]    

6 Strained-SiGe Complementary MOSFETs Adopting Different Thickness of Silicon Cap Layers for Low Power and High Performance Applications [期刊论文]

来源：ETRI Journal

作者:

关键词:hetero-structure MOSFET;strained-SiGe;...

预览  |  原文链接  |  全文  [ 浏览：8 下载：2  ]