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1 Dual-Functional On-Chip AlGaAs/GaAs Schottky Diode for RF Power Detection and Low-Power Rectenna Applications [期刊论文]

来源：Sensors , 2011

作者:Abdul Manaf Hashim, Farahiyah Mustafa, Shaharin Fadzli Abd Rahman

关键词:AlGaAs/GaAs;HEMT;...

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2 Degradation Mechanisms for GaN and GaAs High Speed Transistors [期刊论文]

来源：Materials , 2012

作者:David J. Cheney;Erica A. Douglas;Lu Liu;等

关键词:degradation;stress;...

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3 Recent progress in compound semiconductor electron devices [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2016

作者:Yasuyuki Miyamoto

关键词:compound semiconductor;HBT;...

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4 Improved stability in wide-recess InP HEMTs by means of a fully passivated two-step-recess gate [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2006

作者:Masami Tokumitsu;Tetsuya Suemitsu;Fabiana Rampazzo;等

关键词:HEMT;FET;...

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5 InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave applications [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2015

作者:Tetsuya Suemitsu

关键词:FET;HEMT;...

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6 A 125-GHz 140-mW InGaAs/InP composite-channel HEMT MMIC power amplifier module [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2009

作者:Takatomo Enoki;Naoya Kukutsu;Toshihiko Kosugi;等

关键词:millimeter-wave;power amplifier;...

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