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  • × Low field mobility
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1 Low Temperature Characterization of Hole Mobility in Sub-14nm Gate Length Si0.7Ge0.3 Tri-Gate pMOSFETs [会议论文]

作者:Laviéville, R.^1;Le Royer, C.^2;Barraud, S.^2;等

关键词:Attenuation factors;Charge mobilities;...

会议举办机构:IMEP-LAHC, Univ. Grenoble Alpes, Minatec Campus, Grenoble

会议时间:2017

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2 Temperature dependent DC characterization of InAlN/(AlN)/GaN HEMT for improved reliability [会议论文]

作者:Takhar, K.^1;Gomes, U.P.^1;Ranjan, K.^1;等

关键词:DC characterization;Density of state;...

会议举办机构:Advanced Technology Development Center, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal

会议时间:

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