| Photoluminescence-Linewidth-Derived Exciton Masses for InGaAsN Alloys | |
| JONES,ERIC D. ; ALLERMAN,ANDREW A. ; KURTZ,STEVEN R. ; MODINE,NORMAND A. | |
| Sandia National Laboratories | |
| 关键词: Gallium Nitrides; Mass Ingaasn; Indium Arsenides; Exciton; 36 Materials Science; | |
| DOI : 10.2172/783096 RP-ID : SAND2001-1863 RP-ID : AC04-94AL85000 RP-ID : 783096 |
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| 美国|英语 | |
| 来源: UNT Digital Library | |
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