| GaInAsSb/AlGaAsSb/GaSb Thermophotovoltaic Devices | |
| Wang, CA | |
| Lockheed Martin | |
| 关键词: Indium Arsenides; 30 Direct Energy Conversion; Indium Antimonides; Design; Thermophotovoltaic Converters; | |
| DOI : 10.2172/824864 RP-ID : LM-04K001 RP-ID : AC12-00SN39357 RP-ID : 824864 |
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| 美国|英语 | |
| 来源: UNT Digital Library | |
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