Type‐I Energy Level Alignment at the PTCDA—Monolayer MoS2 Interface Promotes Resonance Energy Transfer and Luminescence Enhancement

Advanced Science

Soohyung Park¹  Lain‐Jong Li²  Sergey A. Kovalenko³  Julia Stähler³  Patrick Amsalem⁴  Niklas Mutz⁴  Dongguen Shin⁴  Thorsten Schultz⁵  Norbert Koch⁵  Sylke Blumstengel⁶  Emil J. W. List‐Kratochvil⁷  Areej Aljarb⁸  Vincent Tung⁸  Xiaomin Xu⁹ 

[1] Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, South Korea;Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Chemie, Berlin, 12489, Germany;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Physik & IRIS Adlershof, Berlin, 12489, Germany;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Physik & IRIS Adlershof, Berlin, 12489, Germany;Helmholtz‐Zentrum für Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Physik & IRIS Adlershof, Berlin, 12489, Germany;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Chemie, Berlin, 12489, Germany;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Physik & IRIS Adlershof, Berlin, 12489, Germany;Humboldt‐Universität zu Berlin, Institut für Chemie, Berlin, 12489, Germany;Helmholtz‐Zentrum für Materialien und Energie GmbH, Berlin, 12489, Germany;Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955‐6900, Saudi Arabia;Shenzhen Geim Graphene Center, Tsinghua‐Berkeley Shenzhen Institute, Tsinghua University, Shenzhen, 518055, China;

关键词: energy level alignment;    energy transfer;    MoS;    organic semiconductors;    photoelectron spectroscopy;    photoluminescence;    transient absorption spectroscopy;   

DOI  :  10.1002/advs.202100215

来源: Wiley

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