Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área

Rem: Revista Escola de Minas

João Roberto Moro²  Vladimir Jesus Trava-airoldi¹  Evaldo José Corat¹  João Eichenberger Neto¹  Amaurí Amorim¹  Arnaldo Ribeiro Alves¹ 

[1] ,FCA/UnicampLimeira SP

关键词: Diamante CVD;    crescimento;    grandes áreas;    CVD diamond;    growth;    large area;   

DOI  :  10.1590/S0370-44672010000200011

来源: SciELO

【 摘 要 】

Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.

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