| International Journal of Technology | |
| Dual Material Pile Gate Approach for Low Leakage Finfet | |
| Sanjay S.Chopade1 | |
| 关键词: Bulk FinFET; Charge accumulation; Leakage current; Lower doping; Pile Gate FinFET; | |
| DOI : 10.14716/ijtech.v8i1.3699 | |
| 学科分类：工程和技术（综合） | |
| 来源: Universitas Indonesia | |
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