Some Investigations on the Anisotropy of the Chemical Etching of (hk0) and (hhl) Silicon Plates in a NaOH 35% Solution. Part I: 2D Etching Shapes

Active and Passive Electronic Components

C. R. Tellier¹  C. A. Hodebourg² 

[1] lnstitut des Microtechniques de Franche-Comté, Avenue de l'Observatoire, Besançon cédex 25030, France;Laboratoire de Chronométrie Electronique et Piezoélectricité, Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, 26 chemin de l'Epitaphe, Besançon cédex 25030, France, ens2m.fr

关键词: NaOH etchant;    Silicon;    Anisotropic etching;   

Others  :  1369707
DOI  :  10.1155/2001/80453

 received in 2001-02-01, accepted in 2001-03-19,  发布年份 2001

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