• 已选条件：
  • × 2008
  • × Indium arsenides
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1 Inverted GalnP/GaAs/InGaAs Triple-junction Solar Cells with Low-stress Metamorphic Bottom Junctions. [科技报告]

作者:Geisz, J. F.;Kurtz, S. R.;Wanlass, M. W.;等

发布日期:2008

关键词:Solar cells;Gallium phosphides;...

发布机构:Technical Information Center Oak Ridge Tennessee

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