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1 High-Performance LPCVD-SiNx/InAlGaN/GaN MIS-HEMTs With 850-V 0.98- $\text{m}{\Omega} \cdot$ cm2 for Power Device Applications [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2018

作者:Huan-Chung Wang;Franky Juanda Lumbantoruan;Ting-En Hsieh;等

关键词:InAlGaN/GaN;MIS-HEMT;...

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2 Role of Shape Factor in Forming Surface Electric Field Basin in RESURF Lateral Power Devices and its Optimization Design [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2018

作者:David Z. Pan, Jun Zhang, Yu-Feng Guo

关键词:1-D model;shape factor;...

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3 Analysis and Simulation of Low-Frequency Noise in Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2018

作者:Hongyu He;Rongsheng Chen;Yuan Liu;等

关键词:Indium-zinc-oxide;thin film transistor;...

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4 Quadruple Gate-Embedded T Structured GaN-Based Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron Mobility Transistors [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2018

作者:Wei-Shian Chen, Ching-Ting Lee, Hsin-Ying Lee

关键词:GaN-based metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors;laser interference photolithography method;...

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5 Integrated Active-Matrix Capacitive Sensor Using a-IGZO TFTs for AMOLED [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2018

作者:Jin Jang, Di Geng, Yuanfeng Chen

关键词:a-IGZO;active matrix;...

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6 InGaAs Junctionless FinFETs With Self-Aligned Ni-InGaAs S/D [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2018

作者:Po-Chun Chang;Simon M. Sze;Edward Yi Chang;等

关键词:Junctionless (JL) transistor;InGaAs nMOSFETs;...

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