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1 Optimized Device Geometry of Normally-On Field-Plate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for High Breakdown Performance Using TCAD Simulation [期刊论文]

来源：Electronics , 2021

作者:Tae-Hoon Jang;Chel-Jong Choi;Sakhone Pharkphoumy;等

关键词:AlGaN/GaN;HEMT;...

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2 Benefits of Considering More than Temperature Acceleration for GaN HEMT Life Testing [期刊论文]

来源：Electronics , 2016

作者:Ronald A. Coutu;Robert A. Lake;Eric R. Heller;等

关键词:gallium nitride;HEMT;...

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