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1 Ge N-Channel MOSFETs with ZrO2 Dielectric Achieving Improved Mobility [期刊论文]

来源：Nanoscale Research Letters , 2021

作者:Xiao Yu;Genquan Han;Lulu Chou;等

关键词:Germanium;ZrO;...

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2 Impact of the Crystal Phase of ZrO₂ on Charge Trapping Memtransistor as Synaptic Device for Neural Network Application [期刊论文]

来源：IEEE Journal of the Electron Devices Society , 2020

作者:Wan-Hsuan Chung;Yu-Che Chou;Chao-Hsin Chien;等

关键词:Germanium;high-κ dielectrics;...

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3 High mobility Ge pMOSFETs with amorphous Si passivation: impact of surface orientation [期刊论文]

来源：Nanoscale Research Letters , 2019

作者:Xiaosheng Tang;Genquan Han;Huan Liu;等

关键词:Germanium;MOSFET;...

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4 An alternative route for valorization of valuable metals from jarosite residue [期刊论文]

来源：Tehnika , 2019

作者:Kamberović Željko J., Manojlović Vaso D., Gajić Nataša M.

关键词:jarosite residue;Indium;...

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5 Nanocrystal-Embedded-Insulator (NEI) Ferroelectric FETs for Negative Capacitance Device and Non-Volatile Memory Applications [期刊论文]

来源：Nanoscale Research Letters , 14卷 , 2019

作者:Wenwu Xiao;Yan Liu;Genquan Han;等

关键词:NEI;Ferroelectric;...

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6 Reduced Contact Resistance Between Metal and n-Ge by Insertion of ZnO with Argon Plasma Treatment [期刊论文]

来源：Nanoscale Research Letters , 2018

作者:Hao Wu;Haihua Zheng;Chang Liu;等

关键词:Germanium;Fermi-level pinning;...

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