会议论文

已选条件：
× 195251, Russia^4
× Surface density

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1 Synthesis of GaN nanowires on Si (111) substrates by molecular beam epitaxy [会议论文]

作者:Bolshakov, A.D.^1;Sapunov, G.A.^1;Mozharov, A.M.^1;等

关键词:Ga flux;GaN nanowires;...

会议举办机构:St.Petersburg Academic University, St. Petersburg

会议时间:2016

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摘要

京公网安备340104078870146号 878987797 028-85220240

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