• 已选条件：
  • × 12th International Workshop on Low Temperature Electronic
  • × 75252, France^1
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1 BSIM3 parameters extraction of a 0.35 μm CMOS technology from 300K down to 77K [会议论文]

作者:Varizat, Laurent^1,2, Sou, Gerard^1, Mansour, Malik^2

关键词:CMOS technology;Gate-enclosed layout;...

会议举办机构:Electrical and Electromagnetism Laboratory, Pierre and Marie Curie University, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05

会议时间:2017

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