会议论文

已选条件：
× 194021, Russia^1
× Submicron

全选【符合条件的数据共：1条】

1 Ga focused ion beam etching of a Si3N4/GaN substrate for submicron selective epitaxy [会议论文]

作者:Mitrofanov, M.I.^1,2,3;Rodin, S.N.^1;Levitskii, I.V.^1,2,3;等

关键词:Crystalline perfection;Focused ion beam etching;...

会议举办机构:Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg

会议时间:2017

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摘要

京公网安备340104078870146号 878987797 028-85220240

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