• 已选条件：
  • × 38054, France^2
  • × Series resistances
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1 Low Temperature Characterization of Hole Mobility in Sub-14nm Gate Length Si0.7Ge0.3 Tri-Gate pMOSFETs [会议论文]

作者:Laviéville, R.^1;Le Royer, C.^2;Barraud, S.^2;等

关键词:Attenuation factors;Charge mobilities;...

会议举办机构:IMEP-LAHC, Univ. Grenoble Alpes, Minatec Campus, Grenoble

会议时间:2017

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