GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ

Pamukkale University Journal of Engineering Sciences

关键词: gallium-arsenide;    confined electromagnetic field;    propagation constant;    semiconductor laser;    galyum - arsenit;    hapsedilen elektromanyetik alan;    propagasyon sabiti;    yarıiletkenlaser;   

DOI  :  

来源: DOAJ

【 摘 要 】

GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formundaki yapılar, kafes sabitleri hemen hemen denk olan yapıları oluşturmakta, enerji-bant yapısında yasak bantı artırmakta, kırılma indisini azaltmaktadır. Bu özellikler, GaAs ve AlxGa1-xAs malzemelerle gerçekleştirilen heterojonksiyon yapıların elde edilmesine, yarıiletken laserlerde olduğu gibi, elektromanyetik enerjinin, özellikle, optik enerjinin kuvvetlendirilmesine, klavuzlanarak fiberoptik hatlarla nakledilmelerine imkan sağlamaktadır. GaAs - bazlı yarıiletken yapılar, özellikle, laserler, ince film katmanlarından (? 40-100 A o ), oluşur. Bu kuantum boyutları, kullanılan dalga boyu ile kıyaslanabilecek derecede küçüktür ve özel etkiler doğurmaktadır. Kuantum - çukurlu yapılar, bu tür etkilerin bir sonucudur. Bu çalışmada yarıiletken katmanlarda tuzaklanan elektromanyetik dalganın şekli ve propagasyon sabitinin davranışı incelenmiştir.

【 授权许可】

Unknown