SELF ELEKTRO-OPTİK CİHAZLARIN KUANTUM ÇUKURLU YAPILARI VEGALYUM-ARSENİT

Pamukkale University Journal of Engineering Sciences

关键词: gallium-arsenide;    band gap;    index of refraction;    semiconductor laser;    semiconductor dedector;    galyum-arsenit;    yasak bant;    kırılma indisi;    yarıiletken laser;    yarıiletken dedektör;   

DOI  :  

来源: DOAJ

【 摘 要 】

Çoklu kuantum çukurlu elektroapsorptiv self elektro-optik cihazlar optik anahtarlama ve hesaplamalarında kullanılması için yoğun bir şekilde araştırılmaktadır. Kuantum çukurlu yapılara sahip self elektro-optik cihazlar, galyum-arsenit/aliminyum galyum-arsenit elektronik devrelerine ait giriş ve çıkış işaretlerinin her ikisinin birden optik olarak elde edildiği yeni bir optoelektronik teknolojidir. Optik giriş ve çıkışlar kuantum çukurlu emme özelliklerine dayanır. Bu kuantum çukurlu yapılar, günümüzde yeni boyutlar meydana getirmekte olan GaAs/AlGaAs'li yarıiletken malzemelerle yapılan pek çok ince katmanlardan meydana gelir. İlk günlerden beri bu malzemelerin fiziğinde bulunan en önemli ilerleme şu anda GaAs teknolojisinin dayandığı farklı jonksiyonlu yapıların keşfidir. GaAs/AlGaAs'li yapılar kuantum çukurlu yapıları oluşturmak ve keza yarıiletken laser, dedektör ve optik dalga klavuzlarına ilişkin anahtarlar yapmak için yasak bant ve kırılma indisi ile ilgili bazı önemli avantajlar sunar.

【 授权许可】

Unknown