| ICTACT Journal on Microelectronics | |
| POWER GATED TECHNIQUE TO IMPROVE DESIGN METRICS OF 6T SRAM MEMORY CELL FOR LOW POWER APPLICATIONS | |
| Hemant Kumar1 Shikha Saun1 | |
| [1] Banasthali Vidyapith, India; | |
| 关键词: low power technique; power gated scheme; sram; static noise margin; static power dissipation; | |
| DOI : 10.21917/ijme.2019.0140 | |
| 来源: DOAJ | |
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