Ecuaciones cerradas para el diseño de amplificadores clase F

Revista de Investigación, Desarrollo e Innovación

Edison Ferney Angarita-Malaver¹  Nydia Esperanza Cely-Angarita¹  Jorge Julián Moreno-Rubio¹  Javier Francisco Rodríguez-Mora¹ 

[1] Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia;

关键词: GaN-HEMT;    amplificador de potencia;    alta eficiencia;    HEMTs;    amplificador de microondas.;   

DOI  :  10.19053/20278306.3267

来源: DOAJ

【 摘 要 】

Este artículo muestra una metodología para el diseño de amplificadores clase F, basada en ecuaciones cerradas que permiten el cálculo directo de la red de acople de salida. Como demostración, un prototipo ha sido realizado usando el dispositivo GaN HEMT CGH40010 de Cree, obteniendo una eficiencia de drenaje máxima de 65%, ganancia a pequeña señal de 14.2 dB y potencia de salida en saturación de 41 dBm, usando excitación tipo sinusoidal. Las formas de onda obtenidas para el voltaje y la corriente de drenaje son coherentes con la teoría y los resultados en onda-continua son sobresalientes.

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