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Active and Passive Electronic Components
Impact of the Stress on the Sub-Micron N-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Characteristics
R. Marrakh1  A. Bouhdada1 
[1] Laboratoire de Physique des Matériaux et de Microélectronique, Université Hassan II Aïn Chok Faculté des Sciences, Kin8, Route d'El Jadida, BP 5366 Maârif, Casablanca, Morocco;
关键词: Hot-carrier-injection;    Stress time;    Drain current;    Transconductance;    MOSFET.;   
DOI  :  10.1155/2001/18731
来源: DOAJ
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