Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

Cerâmica

J. S. Vasconcelos²  N. S. L. S. Vasconcelos²  S. M. Zanetti²  J. W. Gomes¹  E. Longo¹  E. R. Leite¹  J. A. Varela² 

[1] ,Universidade Estadual Paulista Instituto de Química Araraquara SP

关键词: filmes finos;    SBT;    ferroelétrico;    cristalização;    microondas;    thin films;    SBT;    ferroelectrics;    crystallization;    microwave;   

DOI  :  10.1590/S0366-69132003000100013

来源: SciELO

【 摘 要 】

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.

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