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Optica Applicata
Application of interference methods for determination of curvature radius in metal–oxide–semiconductor (MOS) structures
Witold RZODKIEWICZ1  Lech BOROWICZ1 
关键词: Si–SiO2 system;    interferometry;    radius of curvature;    stress;   
DOI  :  
学科分类:光谱学
来源: Politechnika Wroclawska * Oficyna Wydawnicza / Wroclaw University of Technology
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