Structural, dielectric and a.c. conductivity study of Sb$_2$O$_3$ thin film obtained by thermal oxidation of Sb$_2$S$_3$

Bulletin of materials science

M AMLOUK¹  B OUNI¹  M HAJ LAKHDAR¹  T LARBI¹  B KHALFALLAH² 

[1] Unité de Physique des Dispositifs a Semi-Conducteurs, Faculté des Sciences de Tunis, Université de Tunis El Manar, 2092 Tunis, Tunisia$$Unité de Physique des Dispositifs a Semi-Conducteurs, Faculté des Sciences de Tunis, Université de Tunis El Manar, 2092 Tunis, TunisiaUnité de Physique des Dispositifs a Semi-Conducteurs, Faculté des Sciences de Tunis, Université de Tunis El Manar, 2092 Tunis, Tunisia$$;Laboratoire de Photovoltaïque et Matériaux Semiconducteurs, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Tunis, Université de Tunis El Manar, 2092 Tunis, Tunisia$$Laboratoire de Photovoltaïque et Matériaux Semiconducteurs, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Tunis, Université de Tunis El Manar, 2092 Tunis, TunisiaLaboratoire de Photovoltaïque et Matériaux Semiconducteurs, Ecole Nationale d’Ingénieurs de Tunis, Université de Tunis El Manar, 2092 Tunis, Tunisia$$

关键词: X-ray diffraction;    a.c. conductivity;    dielectric properties;    complex electric modulus.;   

DOI  :  

学科分类：材料工程

来源: Indian Academy of Sciences

【 摘 要 】

This work highlights some physical properties of Sb$_2$O$_3$ thin films obtained through heat treatment of Sb$_2$S$_3$ thin films under an atmospheric pressure at 400$^{circ}$C. The obtained material is characterized by X-ray diffraction and impedance spectroscopy. X-ray diffraction analysis shows that Sb$_2$O$_3$ thin films were crystallized in cubic structure having a preferential growth along (222) plane. The grain size is found to be around 65 nm. The electrical conductivity was studied using impedance spectroscopy technique in the frequency range from 5 Hz to 13 MHz at temperatures lying in 638�??698 K domain. Besides, the frequency and temperature dependence of the complex impedance, a.c. conductivity and complex electric modulus have been investigated.

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