| International Journal of Technology | |
| Physics of Strongly-coupled Dopant-atoms in Nanodevices | |
| DanielMoraru1 | |
| 关键词: Dopant atoms; Nanoscale; Quantum dot; Silicon; Tunneling transport; | |
| DOI : 10.14716/ijtech.v6i6.1305 | |
| 学科分类：工程和技术（综合） | |
| 来源: Universitas Indonesia | |
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