New Method for Determination of Drain Saturation Voltage in Short Channel MOS DevicesBetween Liquid Helium to Room Temperature

Active and Passive Electronic Components

R. Rmaily¹  E. Bendada²  K. Raïs¹  A. El Abbassi¹  Y. Amhouche¹ 

[1] Laboratoire de Caractérisation des Composants à Semi-conducteurs, Faculté des Sciences Chouaib Doukkali, Departement de Physique, B.P. 20, EL Jadida, Morocco, ucd.ac.ma;Laboratoire de la Microélectronique et de l'instrumentation, Faculté des Sciences, B.P. 509 Errachidia, , Morocco, ucd.ac.ma

关键词: Substrate current;    Drain saturation voltage;    MOS transistor;   

Others  :  1369710
DOI  :  10.1155/2001/92361

 received in 2000-12-22, accepted in 2001-03-19,  发布年份 2001

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