科研项目详细信息
深纳米三维FinFET结构栅围寄生电容模型及其波动性分布研究
石艳玲
华东师范大学
keywords:深纳米FinFET器件;寄生电容;器件模型;工艺波动性;统计分布
keywords:
Subject:电子与电气工程
中国|中文
2019至2019
Source: 科学基金共享服务网(科技成果信息系统)