科研项目详细信息
太赫兹HEMT器件基础研究
金智
中国科学院微电子研究所
keywords:太赫兹;InP;高电子迁移率晶体管;短沟道效应
keywords:
Subject:电子、光学、磁材料
中国|中文
2019至2019
Source: 科学基金共享服务网