学位论文

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1 Current collapse and device degradation in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors [学位论文]

作者:Balaz, Daniel, Asenov, Asen

论文开放时间:2011

关键词:AlGaN,;GaN,;...

培养单位:University:University of Glasgow

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摘要

京公网安备340104078870146号 878987797 028-85220240

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