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1 GaN-Ready Aluminum Nitride Substrates for Cost-Effective, Very Low Dislocation Density III-Nitride LED's [科技报告]

作者:Schujman, Sandra, Schowalter, Leo

发布日期:2010

关键词:Aluminium;Gallium Nitrides;...

发布机构:Crystal Is, Incorporated

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2 Discontinuous Galerkin finite element methods for gradient plasticity. [科技报告]

作者:Garikipati, Krishna. (University of Michigan, Ann Arbor, MI), Ostien, Jakob T.

发布日期:2010

关键词:Plasticity;36 Materials Science;...

发布机构:Sandia National Laboratories

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