1 The Impact of AlxGa1−xN Back Barrier in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Six-Inch MCZ Si Substrate [期刊论文]
来源:Coatings , 2020
作者:H.C. Chiu;H.Y. Wang;C.Y. Chuang;等
关键词:GaN;HEMT;...
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