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1 Degradation Mechanisms for GaN and GaAs High Speed Transistors [期刊论文]

来源：Materials , 2012

作者:David J. Cheney;Erica A. Douglas;Lu Liu;等

关键词:degradation;stress;...

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2 CHEMICAL CHARACTERIZATION OF PULP COMPONENTS IN UNBLEACHED SOFTWOOD KRAFT FIBERS RECYCLED WITH THE ASSISTANCE OF A LACCASE/HBT SYSTEM [期刊论文]

来源：BioResources , 2007

作者:Thiago Alessandre da Silva;Paulina Mocchiutti;Luiz Pereira Ramos;等

关键词:Unbleached recycled kraft pulps;Laccase/mediator system;...

使用许可:Unknown

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3 Recent progress in compound semiconductor electron devices [期刊论文]

来源：IEICE Electronics Express , 2016

作者:Yasuyuki Miyamoto

关键词:compound semiconductor;HBT;...

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4 An X-Band Carbon-Doped InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor MMIC Oscillator [期刊论文]

来源：ETRI Journal

作者:

关键词:HBT;X-band;...

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5 An X-Band Carbon-Doped InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor MMIC Oscillator [期刊论文]

来源：ETRI Journal

作者:

关键词:HBT;X-band;...

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6 Fabrication and Characteristics of an InP Single HBT and Waveguide PD on Double Stacked Layers for an OEMMIC [期刊论文]

来源：ETRI Journal

作者:

关键词:OEMMIC;wave guide PD;...

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