• 已选条件:
  • × 102211, China^2
  • × Potential barriers
 全选  【符合条件的数据共:1条】

作者:Jiang, H.^1;Li, X.^2;Wang, J.^1;等

关键词:AlGaN/GaN HEMTs;AlGaN/GaN high electron mobility transistors;...

会议举办机构:Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing

会议时间:2017

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