期刊论文

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Open Physics
On formation of thin SiO2/a-Si:H interface when biased oxidized semiconductor surface interacts with plasma or liquid solution

Jurečka Stanislav¹ Brunner Róbert² Rusnák Jaroslav² Pinčík Emil² Takahashi Masao³ Kobayashi Hikaru³
[1] Department of Engineering Fundamentals, Faculty of Electrical Engineering, University of Žilina, 031 01, Liptovský Mikuláš, Slovak Republic;Institute of Physics SAS, Dúbravská cesta 9, 845 11, Bratislava, Slovak Republic;Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Organization, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan;
关键词: plasma-surface interaction; very thin oxides; interface; defect states; chemical oxidation; 52.77.dq; 61.43.dq; 73.20.-r;
DOI : 10.2478/s11534-007-0019-4
来源: DOAJ


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