CERCETAREA CAPACITĂȚII ȘI CONDUCTIBILITĂȚII ELECTRICEALE JONCȚIUNILOR DIN P-INP

Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Exacte si Economice

Leonid GORCEAC¹  Semion RAEVSCHI¹  Ludmila GAGARA¹  Vasile BOTNARIUC¹  Cornel ROTARU¹  Boris CINIC¹  Andrei COVAL¹ 

[1] Universitatea de Stat din Moldova;

关键词: Junction, capacitance, voltage, frequency, conductivity, indium phosphide (InP).;   

DOI  :  

来源: DOAJ

【 摘 要 】

Au fost studiate caracteristicile capacitate-tensiune-conductabilitate-frecvenţă ale homo­joncţi­uni­lor n⁺-p°-p⁺InP cu şi fără strat frontal n⁺CdS obţinute cu aplicarea tehnologiilor din faza gazoasă în sistemul In-PCl₃-H₂ şi în volum cvasiînchis. S-a stabilit că distribuirea impurităţilor în regiunea sarcinii de baraj în astfel de joncţiuni este cu gradient liniar, iar la frecvenţele de 7…10 MHz impendanţa structurii este determinată de rezistenţa inductivă. Concentraţia stărilor super­ficiale pentru structurile n⁺-p°-p⁺InP cu strat frontal de n⁺CdS este cu un ordin mai mică decât fără acest strat, ceea ce va spori eficienţa CF obţinute în baza lor.

CAPACITANCE AND ELECTRICAL CONDUCTIVITY STUDIES OF P-INP JUNCTIONS

The capacitance –voltage-conductivity-frequency dependencies of n⁺-p^o-p⁺InP with and without n⁺CdS frontal  layer, obtained  by using of gaseous phase epitaxial technology in a In-PCl₃-H₂ system and deposition in a quasi-closed volume, were studied. It was established that the impurity distribution in the space charge region of such junctions is of a linear gradient, and at the frequencies of 7…10 MHz the structure impedance is determined by the inductance resistance. The surface state concentration in n⁺-p^o-p⁺InP structures with the n⁺CdS frontal  layer is by an order of magnitude lower than in the same structures without it, which can enhance the efficiency of solar cells based on them.

【 授权许可】

Unknown