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ICTACT Journal on Microelectronics
VLSI ARCHITECTURE FOR ERROR DETECTION AND CORRECTION BASED ON XOR AGAINST MULTIPLE CELL UPSETS WITH REDUCED REDUNDANT BITS

V. Bhanumathi¹ M. Sunandini¹
[1] Anna University Regional Campus, Coimbatore, India;
关键词: multiple cell upsets; static random access memory; exclusive-or; error detection and correction;
DOI : 10.21917/ijme.2019.0131
来源: DOAJ


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