Estructura electrónica en sistemas cristalinos de Ge, GaP y SiC

Revista de Investigación de Física

Máximo Poma¹  César Cabrera¹ 

[1] Universidad Nacional Mayor de San Marcos. Lima, Perú;

关键词: bandas de energía;    densidad de estados;    red cristalina;   

DOI  :  10.15381/rif.v20i2.15164

来源: DOAJ

【 摘 要 】

Se estudia la estructura electrónica de los cristales de Germanio y de los compuestos cristalinos de Galio-Fosforo y de Silicio-Carbón, usando un potencial funcional de la densidad local de spin (LDA) y el método LMTO se calculan las bandas de energía, la banda de energía prohibida, la densidad de estados DOS, la energía total del sistema cristalino. Las propiedades electrónicas se ajustan bien a los resultados experimentales.

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