STRATURI NANOSTRUCTURATE DE ZnO DOPATE CU Al PENTRU FOTOELECTROZI ÎN STRUCTURILE HIBRIDEPE BAZA FTALOCIANINEI DE CUPRU

Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Exacte si Economice

Dumitru DUCA¹  Tamara POTLOG¹  Vadim FURTUNĂ¹ 

[1] Universitatea de Stat din Moldova;

关键词: ZnO, CuPc, RF magnetron sputtering, close spaced sublimation method, photovoltaic device.;   

DOI  :  

来源: DOAJ

【 摘 要 】

În articol este prezentat un studiu al structurii şi proprietăţilor optice ale straturilor subţiri de ZnO dopate cu Al atât netratate termic, cât şi tratate termic în flux de hidrogen la 445^oC, precum şi proprietăţile electrice ale structurilor pe baza acestora. Structura acestor straturi a fost făcută utilizând difracţia de radiaţii X, iar proprietăţilor lor optice – prin spectroscopia UV-VIS. S-a constatat că straturile ZnO:Al au structură policristalină de tip wutzite; dimensiunea crista­litelor depinde de regimul tehnologic. Cu creşterea concentraţiei de Al dimensiunea acestora se micşorează, iar tratarea termică în hidrogen conduce la micşorarea valorii E_g indiferent de regimul tehnologic de fabricare a straturilor subţiri. Au fost realizate structuri ZnO/CuPc şi cercetate proprietăţile lor electrice utilizând caracteristicile curent-tensiune şi capacitate-tensiune. Dependenţa capacităţii de tensiune justifică prezenţa regunii de sarcină spaţială.

NANOSTRUCTURED ZnO THIN FILMS DOPED WITH Al FOR PHOTOELECTRODS

IN THE HYBRID STRUCTURES BASED ON THE COPPER PHTALOCYANINE

In this paper, a study of the structure and optical properties of ZnO thin films doped with Al, both untreated and treated in hydrogen at 445oC, as electrical properties of structures based on them it is presents. Studies on the structure and optical properties were made using X-ray diffraction and UV-VIS spectroscopy. It was found that the ZnO: Al layers were polycrystalline and have a wurtzite structure, crystallite size depends on the technological regime, with increasing concentration of Al their size decreases and annealing in hydrogen leads to decrease in E_g value indifferently of the manufacturing technology. ZnO/CuPc structures were fabricated. Their electrical properties using current-voltage and capacitance-voltage characteristics were investigated. The capacitance-voltage characteristics justify the presence of a space charge region.

【 授权许可】

Unknown