期刊论文

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Tehnologìčnij Audit ta Rezervi Virobnictva
Influence of impurities and conditions of growing the silicon single crystals by Czochralski method on the value of lifetime of non-equilibrium charge carriers

Роман Николаевич Воляр¹
[1] Zaporozhye State Engineering Academy, 69006, Zaporizhia, Lenina ave., 226;
关键词: silicon; single crystal semiconductor; cultivation; Czochralski method; impurity; cooling rate;
DOI : 10.15587/2312-8372.2015.38119
来源: DOAJ


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