Cerâmica | |
Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2 | |
L. V. A. Scalvi2  T. F. Pineiz1  M. A. L. Pinheiro1  M. J. Saeki1  V. Briois1  | |
[1] ,Universidade Estadual Paulista FC Dep. FísicaBauru SP ,Brasil | |
关键词: dióxido de estanho; filmes finos; cério; terras-raras; transporte elétrico; tin dioxide; thin films; cerium; rare-earth; electrical transport; | |
DOI : 10.1590/S0366-69132011000300019 | |
来源: SciELO | |
【 摘 要 】
Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, resultando em maior espalhamento de elétrons. Medidas de caracterização elétrica sob pressão ambiente levam à barreiras de potencial mais altas do que as medidas sob vácuo, devido a adsorção de oxigênio na superfície das partículas. A presença de Ce3+ aumenta a transmitância no infravermelho, o que significa menor quantidade de elétrons livres. Dados de XANES confirmam que o tratamento térmico a 550 ºC dos filmes, ainda que promova oxidação parcial para Ce4+, preserva uma quantidade significativa (em torno de 60%) no estado Ce3+. Espectroscopia Raman mostra a evolução dos modos de vibração intra-grãos de SnO2 com o aumento da temperatura de tratamento térmico.
【 授权许可】
CC BY-NC
All the contents of this journal, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution License
【 预 览 】
Files | Size | Format | View |
---|---|---|---|
RO202005130132569ZK.pdf | 525KB | download |