Sinterização de filmes finos de LiNbO3 em forno microondas: estudo da influência da direção do fluxo de calor

Cerâmica

N. S. L. S. Vasconcelos²  J. S. Vasconcelos²  V. Bouquet¹  S. M. Zanetti²  E. R. Leite¹  E. Longo¹  M. I. Bernardi¹  A. Perrin¹  M. Guilloux-viry¹  J. A. Varela² 

[1] ,Universidade Estadual Paulista Instituto de Química Centro Multidisciplinar de Desenvolvimento de Materiais CeramicosAraraquara SP ,Brasil

关键词: filmes finos;    LiNbO3;    microondas;    SiC;    epitaxia;    thin films;    LiNbO3;    microwave;    SiC;    epitaxy;   

DOI  :  10.1590/S0366-69132004000200009

来源: SciELO

【 摘 要 】

Filmes finos de LiNbO3 foram preparados pelo método dos precursores poliméricos e depositados por "spin coating" sobre substratos de safira (0001). Os filmes foram tratados em forno microondas doméstico a 400 ºC por 15 e 20 min. Um material com alta perda dielétrica (susceptor de SiC) foi usado para absorver energia das microondas e transformá-la em calor. Este calor foi transferido para o filme a fim de promover a sua cristalização. O susceptor foi posicionado acima do filme ou embaixo do substrato. Desta forma, a influência da direção do fluxo de calor na cristalização das amostras foi verificada. Os filmes foram caracterizados por difração de raios X, microscopia de força atômica e espectrofotometria (transmitância) na região UV-visível e o índice de refração foi determinado por elipsometria. O crescimento epitaxial foi observado para o filme com susceptor posicionado embaixo do substrato. Verificou-se que os grãos apresentaram crescimento aleatório quando o susceptor foi posicionado acima do filme. Os filmes apresentaram-se relativamente densos, homogêneos e lisos, com boas propriedades ópticas.

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