| International Journal of Technology | |
| Linear I-V Characteristics of Highly-doped SOI p-i-n Diode for Low Temperature Measurement | |
| Anak Agung Ngurah GdeSapteka1 | |
| 关键词: I-V characteristics; P-I-N diode; SOI; Sensor; Temperature; | |
| DOI : 10.14716/ijtech.v6i3.1150 | |
| 学科分类：工程和技术（综合） | |
| 来源: Universitas Indonesia | |
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