New Coefficients of the Minority Carrier Lifetime and Bandgap Narrowing Models in the Transparent Emitter of Thin Film Silicon Solar Cells

Active and Passive Electronic Components

J-P. Charles³  B. Benyoucef²  F. Dujardin¹  A. Zerga⁴  M. Benosman⁴ 

[1] LTMC, Institut de Physique, 1 Boulevard ARAGO, Metz 57070, France;LMER, Départment de Physique, Faculté des Sciences, Université de Tlemcen, BP: 119, Tlemcen 13000, Algeria, univ-tlemcen.dz;C2EA, Laboratoire M.O.P.S.(CNRS-Supélec), 2 rue Edouard Belin, Metz 57070, France, supelec.fr;LMER, Départment de Physique, Faculté des Sciences, Université de Tlemcen, BP: 119, Tlemcen 13000, Algeria, univ-tlemcen.dz;C2EA, Laboratoire M.O.P.S.(CNRS-Supélec), 2 rue Edouard Belin, Metz 57070, France, supelec.fr

关键词: Thin layer;    Modeling;    Silicon solar cell;    Transparent emitter;    Heavy doping effects;   

Others  :  1369711
DOI  :  10.1155/2001/95924

 received in 2001-04-30, accepted in 2001-05-19,  发布年份 2001

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