期刊论文详细信息
| Active and Passive Electronic Components | |
| Surface Recombination ViaInterface Defects in Field Effect Transistors | |
| J. P. Charles1 P. Mialhe4 K. Raïs2 E. Bendada3 | |
| [1] Centre Lorrain d’Optique et Electronique des Solides, Supélec, Metz Cedex 3 57078, France, supelec.fr;Laboratoire de Caractérisation des Composants à Semiconducteur, Université Chouaïb, El Jadida, Morocco, ucd.ac.ma;Département de Génie Electrique, Université My lsmaï l-F.S.T., 509 Boutalamine, Errachidia, Morocco, umi.ac.ma;Centre d’Etudes Fondamentales, Université de Perpignan, Perpignan Cedex 66860, France, univ-perp.fr | |
| 关键词: energy level; oxide semiconductor; Recombination current; | |
| Others : 1369102 DOI : 10.1155/1998/91648 |
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| received in 1997-02-04, accepted in 1997-03-13, 发布年份 1997 | |
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028-85220240
